Untersuchungen An (gAin)AS- Und (GaAl)AS-Schicht - strukturen mittels ortlich hochaufgeloster fotolumineszenz: Dis/ Trịnh Đức Quang
Tác giả : Trịnh Đức Quang
Năm xuất bản : 1979
Nơi xuất bản : Leipzig
Mô tả vật lý : 52tr.: ảnh; 30cm 1 tt
Số phân loại : 535.8
Chủ đề : 1. $2Bộ TK TVQGQuang học. 2. $2Bộ TK TVQGVật lí. 3. 7.
Thông tin chi tiết
Tóm tắt : | Nghiên cứu một cách có hệ thống sự thay đổi cường độ phát quang của hai loại bán dẫn (GaAl)As và (Gain)As ở vùng tiếp xúc của hai lớp hoặc giữa lớp và đáy và so sánh với các điều kiện chế tạo, nhất là sự phân giải địa phương cao trên các bề mặt |
Thông tin dữ liệu nguồn
Thư viện | Ký hiệu xếp giá | Dữ liệu nguồn |
---|---|---|
Thư viện Quốc gia Việt Nam |
L563 |
https://opac.nlv.gov.vn/pages/opac/wpid-detailbib-id-237279.html |