loading

Untersuchungen An (gAin)AS- Und (GaAl)AS-Schicht - strukturen mittels ortlich hochaufgeloster fotolumineszenz: Dis/ Trịnh Đức Quang

Tác giả : Trịnh Đức Quang

Năm xuất bản : 1979

Nơi xuất bản : Leipzig

Mô tả vật lý : 52tr.: ảnh; 30cm 1 tt

Số phân loại : 535.8

Chủ đề : 1. $2Bộ TK TVQGQuang học. 2. $2Bộ TK TVQGVật lí. 3. 7.

Thông tin chi tiết

Tóm tắt :

Nghiên cứu một cách có hệ thống sự thay đổi cường độ phát quang của hai loại bán dẫn (GaAl)As và (Gain)As ở vùng tiếp xúc của hai lớp hoặc giữa lớp và đáy và so sánh với các điều kiện chế tạo, nhất là sự phân giải địa phương cao trên các bề mặt

 Thông tin dữ liệu nguồn

 Thư viện  Ký hiệu xếp giá  Dữ liệu nguồn
Thư viện Quốc gia Việt Nam L563
https://opac.nlv.gov.vn/pages/opac/wpid-detailbib-id-237279.html