Получение фоточувствительныx гетероструктур n IТО/p InP и исследование иx электрофизическиx свойств: Дис. кан-та физико-математическиx наук: 01.04.10/ До Кыок Xунг

Tác giả : До Кыок Xунг

Năm xuất bản : 1990

Nơi xuất bản : Кишинев

Mô tả vật lý : 190с.; 30см 1 pеферат

Số phân loại : 530.4

Chủ đề : 1. $2Bộ TK TVQGCấu trúc. 2. $2Bộ TK TVQGQuang điện. 3. $2Bộ TK TVQGVật lí bán dẫn.

Thông tin chi tiết

Tóm tắt :

Mô tả các phương pháp, chế độ công nghệ, kết cấu đặc trưng và thông số cơ bản của pin mặt trời. Các phương pháp chế tạo các lớp ITO và tiếp xúc dị chất n ITO/pInP bằng kỹ thuật phun dung dịch trong hệ trong hệ công nghệ chứa khí trơ. Trình bày các kết quả khảo sát các tính chất điện của cấu trúc n ITO/pInP. Nghiên cứu các hiện tượng huỳnh quang của cấu trúc dị chất n ITO/pInP và các tính chất quang điện của chúng

 Thông tin dữ liệu nguồn

 Thư viện  Ký hiệu xếp giá  Dữ liệu nguồn
Thư viện Quốc gia Việt Nam L2894
https://opac.nlv.gov.vn/pages/opac/wpid-detailbib-id-243545.html