
Получение фоточувствительныx гетероструктур n IТО/p InP и исследование иx электрофизическиx свойств: Дис. кан-та физико-математическиx наук: 01.04.10/ До Кыок Xунг
Tác giả : До Кыок Xунг
Năm xuất bản : 1990
Nơi xuất bản : Кишинев
Mô tả vật lý : 190с.; 30см 1 pеферат
Số phân loại : 530.4
Chủ đề : 1. $2Bộ TK TVQGCấu trúc. 2. $2Bộ TK TVQGQuang điện. 3. $2Bộ TK TVQGVật lí bán dẫn.
Thông tin chi tiết
Tóm tắt : | Mô tả các phương pháp, chế độ công nghệ, kết cấu đặc trưng và thông số cơ bản của pin mặt trời. Các phương pháp chế tạo các lớp ITO và tiếp xúc dị chất n ITO/pInP bằng kỹ thuật phun dung dịch trong hệ trong hệ công nghệ chứa khí trơ. Trình bày các kết quả khảo sát các tính chất điện của cấu trúc n ITO/pInP. Nghiên cứu các hiện tượng huỳnh quang của cấu trúc dị chất n ITO/pInP và các tính chất quang điện của chúng |
Thông tin dữ liệu nguồn
Thư viện | Ký hiệu xếp giá | Dữ liệu nguồn |
---|---|---|
![]() |
L2894 |
https://opac.nlv.gov.vn/pages/opac/wpid-detailbib-id-243545.html |