Излучательная рекомбинация в кремнии с высокой плотностью дислокаций: Дисс. Канд. Физико - Мат. наук: 01.04.10/ Ле Xонг Xа
Tác giả : Ле Xонг Xа
Năm xuất bản : 1991
Nơi xuất bản : Mинск
Mô tả vật lý : 146с.; 32см 1 реферат
Số phân loại : 537.6
Chủ đề : 1. $2Bộ TK TVQGBức xạ. 2. $2Bộ TK TVQGVật liệu điện tử. 3. $2Bộ TK TVQGVi điệntử. 4. 7. 5. Exiton. 6. Silic.
Thông tin chi tiết
Tóm tắt : | Phân tích các qúa trình bức xạ tái hợp trong si (vật liệu cơ bản của vi điện tử) biến dạng dẻo có nồng độ lệch mạng khác nhau, và vai trò của exiton trong qúa trình hình thành bức xạ này |
Thông tin dữ liệu nguồn
Thư viện | Ký hiệu xếp giá | Dữ liệu nguồn |
---|---|---|
Thư viện Quốc gia Việt Nam |
L2911 |
https://opac.nlv.gov.vn/pages/opac/wpid-detailbib-id-245288.html |