
Процессы эпитаксиального выращивания легированныx структур на основе соединений А3 В5 и исследование иx xарактеристик: Дисс кан-та теxническиx наук: 05.27.06/ Нгуен Суан Нгиа
Tác giả : Нгуен Суан Нгиа
Năm xuất bản : 1994
Nơi xuất bản : Киев
Mô tả vật lý : 168с.: илл.; 32см 1 реферат
Số phân loại : 621.381
Chủ đề : 1. Điện tử. 2. Hợp kim. 3. Vật lí bán dẫn. 4. Epitaxy.
Thông tin chi tiết
Tóm tắt : | Nghiên cứu tổng hợp các quá trình công nghệ khi nuôi Epitaxy những cấu trúc trên cơ sở Gap và Ga As với mức độ pha tạp khác nhau. Đề ra công nghệ lặp lại và hiệu suất sản xuất các diode phát quang (LED) màu đổ và xanh, các LED hồng ngoại và pin mặt trời và cả chế tạo trong một chu trình công nghệ các cấu trúc hợp kim mạnh |
Thông tin dữ liệu nguồn
Thư viện | Ký hiệu xếp giá | Dữ liệu nguồn |
---|---|---|
![]() |
L4523 |
https://opac.nlv.gov.vn/pages/opac/wpid-detailbib-id-250094.html |