loading

Изовалентное легирование и получение квантовыx гатерсструктур на основе соединений А3В5 в методе жидкофазной эпитаксии: Дисс Кан-та физико-математическиx наук: 01.04.10/ Ле Туан

Tác giả : Ле Туан

Năm xuất bản : 1993

Nơi xuất bản : Санкт-Петербург

Mô tả vật lý : 159c.: илл; 32см 1 реферат

Số phân loại : 537

Chủ đề : 1. $2Bộ TK TVQGĐiện môi. 2. $2Bộ TK TVQGVật lí bán dẫn. 3. Cấu trúc lượng tử. 4. Đồng hoá trị. 5. Phương pháp Epitaxy lỏng.

Thông tin chi tiết

Tóm tắt :

Nghiên cứu các khả năng điều khiển các thông số của lớp epitaxy gaAs bằng pha tạp đồng hoá trị và biến đổi các chế độ công nghệ của quá trình epitaxy lỏng, các quá trình kết tinh các lớp IngaAs và InAlAs trùng hằng số mang tinh thể với đế InP và chế tạo các cấu trúc lượng tử dị chất trên cơ sở các hợp chất bên trong phương pháp epitaxy lỏng

 Thông tin dữ liệu nguồn

 Thư viện  Ký hiệu xếp giá  Dữ liệu nguồn
Thư viện Quốc gia Việt Nam L4520
https://opac.nlv.gov.vn/pages/opac/wpid-detailbib-id-250656.html