Contribution à l'étude des propriétés électriques du tellurure de plomb aux basses températures: Thèse de docteur - ingenieur/ Tống Phúc Lai
Tác giả : Tống Phúc Lai
Năm xuất bản : 1975
Nơi xuất bản : Rennes
Mô tả vật lý : 59tr.: hình vẽ; 24cm
Số phân loại : 537
Chủ đề : 1. $2Bộ TK TVQGNhiệt độ thấp. 2. $2Bộ TK TVQGTellurure chì. 3. $2Bộ TK TVQGTính chất điện.
Thông tin chi tiết
Tóm tắt : | Các nghiên cứu được thực hiện trên các đơn tinh thể PbSe được chế tạo bằng phương pháp Bridgman trong phòng thí nghiệm của viện Quốc gia về các khoa học ứng dụng Rennes. Đồng thời nghiên cứu hiệu ứng vận chuyển trong các đơn tinh thể PbSe kiểu p, tạo các ohonic trên PbSe bằng việc bốc hơi, một lớp tali, sau đó là một lớp vàng sau khi khuyếch tán đạt được các tiếp xúc ohonic trên PbSe cho tới nhiệt độ thấp nhất. Và tính toán được nồng độ hạt tải và mức Fermi của mẫu |
Thông tin dữ liệu nguồn
Thư viện | Ký hiệu xếp giá | Dữ liệu nguồn |
---|---|---|
Thư viện Quốc gia Việt Nam |
L837 |
https://opac.nlv.gov.vn/pages/opac/wpid-detailbib-id-255511.html |