Nghiên cứu Sensor nhạy khí trên cơ sở tiếp xúc Pt/n-Si, Pd/n-Si và Au/n-Si bằng các phương pháp khác nhau: LATS Vật lý/ Đặng Xuân Vinh
Tác giả : Đặng Xuân Vinh
Năm xuất bản : 2001
Nơi xuất bản : H.
Mô tả vật lý : 140tr.; 32cm 1 tt
Số phân loại : 537.6
Chủ đề : 1. $2Bộ TK TVQGChất bán dẫn. 2. $2Bộ TK TVQGThiết bị đo lường. 3. $2Bộ TK TVQGVật lí.
Thông tin chi tiết
Tóm tắt : | Tổng quan và cơ sở lý thuyết về tiếp xúc kim loại bán dẫn. Phát triển phương pháp I-V và C-V để nghiên cứu các tiếp xúc kim loại -bán dẫn. Xây dựng các hệ đo tự động đặc trưng điện và công nghệ xử lý, chế tạo mẫu. Sensor nhạy khí hiđrô trên cơ sơ tiếp xúc Pd/n-Si và Pt/n-Si. Sử dụng các Sensor diode schottky trong việc chế tạo các thiết bị đo |
Thông tin dữ liệu nguồn
Thư viện | Ký hiệu xếp giá | Dữ liệu nguồn |
---|---|---|
Thư viện Quốc gia Việt Nam |
L8314 |
https://opac.nlv.gov.vn/pages/opac/wpid-detailbib-id-255619.html |