loading

Épitaxie sélective et propriétés optiques, electriques des Ilot quantiques de Ge sur Si(001): Thèse/ Nguyen Huu Lam

Tác giả : Nguyen Huu Lam

Năm xuất bản : 2004

Nơi xuất bản : Paris

Mô tả vật lý : 172tr.; 30cm 1 tt

Số phân loại : 621.38

Chủ đề : 1. $2Bộ TK TVQGChất bán dẫn. 2. $2Bộ TK TVQGĐiện tử. 3. $2Bộ TK TVQGLượng tử. 4. Chấm lượng tử.

Thông tin chi tiết

Tóm tắt :

Nghiên cứu phương pháp mới để chế tạo các chấm lượng tử Ge trên đế bán dẫn Si (001), chế tạo có chọn lọc, nghiên cứu các tính chất quang, điện của các chấm lượng tử đó

 Thông tin dữ liệu nguồn

 Thư viện  Ký hiệu xếp giá  Dữ liệu nguồn
Thư viện Quốc gia Việt Nam LA04.10421
https://opac.nlv.gov.vn/pages/opac/wpid-detailbib-id-282517.html