loading

Preparation of SBT and PLZT and their applications to ferroelectric gate structure and photonic crystal devices: Thesis/ Le Van Hai

Tác giả : Le Van Hai

Năm xuất bản : 2008

Nơi xuất bản : Osaka

Mô tả vật lý : 102p.: ill.; 30cm res.

Số phân loại : 621.381

Chủ đề : 1. $2Bộ TK TVQGThiết bị điện quang. 2. $2Bộ TK TVQGVật liệu điện tử. 3. Quang điện tử.

Thông tin chi tiết

Tóm tắt :

Nghiên cứu Ferroelectric gate memory và photonic crystal devices dùng vật liệu màng SBT và PLZT và những ứng dụng của SBT và PLZT để cải thiện tính chất điện của cấu trúc MFIS, thời gian lưu dữ liệu của bộ nhớ MFIS - FET tăng từ 3 giờ tới 30 ngày, điều biến bước sóng của filter, ứng dụng trong thiết bị lọc quang...

 Thông tin dữ liệu nguồn

 Thư viện  Ký hiệu xếp giá  Dữ liệu nguồn
Thư viện Quốc gia Việt Nam LA04.13866
https://opac.nlv.gov.vn/pages/opac/wpid-detailbib-id-378650.html