Preparation of SBT and PLZT and their applications to ferroelectric gate structure and photonic crystal devices: Thesis/ Le Van Hai
Tác giả : Le Van Hai
Năm xuất bản : 2008
Nơi xuất bản : Osaka
Mô tả vật lý : 102p.: ill.; 30cm res.
Số phân loại : 621.381
Chủ đề : 1. $2Bộ TK TVQGThiết bị điện quang. 2. $2Bộ TK TVQGVật liệu điện tử. 3. Quang điện tử.
Thông tin chi tiết
Tóm tắt : | Nghiên cứu Ferroelectric gate memory và photonic crystal devices dùng vật liệu màng SBT và PLZT và những ứng dụng của SBT và PLZT để cải thiện tính chất điện của cấu trúc MFIS, thời gian lưu dữ liệu của bộ nhớ MFIS - FET tăng từ 3 giờ tới 30 ngày, điều biến bước sóng của filter, ứng dụng trong thiết bị lọc quang... |
Thông tin dữ liệu nguồn
Thư viện | Ký hiệu xếp giá | Dữ liệu nguồn |
---|---|---|
Thư viện Quốc gia Việt Nam |
LA04.13866 |
https://opac.nlv.gov.vn/pages/opac/wpid-detailbib-id-378650.html |