Analysis and improvement of interface between gate insulator and conductive channel in ferroelectric gate transistor: Thesis/ Pham Van Thanh
Tác giả : Pham Van Thanh
Năm xuất bản : 2012
Nơi xuất bản : Japan
Mô tả vật lý : 57 p.: ill.; 30 cm 1 resume
Số phân loại : 666
Chủ đề : 1. $2Bộ TK TVQGGốm. 2. $2Bộ TK TVQGSắt điện. 3. $2Bộ TK TVQGVật liệu cách điện. 4. 7. 5. 7.
Thông tin chi tiết
Tóm tắt : | Nghiên cứu các phương pháp cải tiến mặt phân cách giữa lớp cách điện và kênh dẫn của transistor sử dụng vật liệu sắt điện làm cực cửa cách điện |
Thông tin dữ liệu nguồn
Thư viện | Ký hiệu xếp giá | Dữ liệu nguồn |
---|---|---|
Thư viện Quốc gia Việt Nam |
LA12.1488.1, LA12.1488.2, LA12.1488.3 |
https://opac.nlv.gov.vn/pages/opac/wpid-detailbib-id-466383.html |