loading

Analysis and improvement of interface between gate insulator and conductive channel in ferroelectric gate transistor: Thesis/ Pham Van Thanh

Tác giả : Pham Van Thanh

Năm xuất bản : 2012

Nơi xuất bản : Japan

Mô tả vật lý : 57 p.: ill.; 30 cm 1 resume

Số phân loại : 666

Chủ đề : 1. $2Bộ TK TVQGGốm. 2. $2Bộ TK TVQGSắt điện. 3. $2Bộ TK TVQGVật liệu cách điện. 4. 7. 5. 7.

Thông tin chi tiết

Tóm tắt :

Nghiên cứu các phương pháp cải tiến mặt phân cách giữa lớp cách điện và kênh dẫn của transistor sử dụng vật liệu sắt điện làm cực cửa cách điện

 Thông tin dữ liệu nguồn

 Thư viện  Ký hiệu xếp giá  Dữ liệu nguồn
Thư viện Quốc gia Việt Nam LA12.1488.1, LA12.1488.2, LA12.1488.3
https://opac.nlv.gov.vn/pages/opac/wpid-detailbib-id-466383.html