loading

Electron scattering and low frequency fluctuation in InAs films on low-k flexible substrates: Thesis : Materials Science/ Nguyen Thanh Cong

Tác giả : Nguyen Thanh Cong

Năm xuất bản : 2013

Nơi xuất bản : Ishikawa

Mô tả vật lý : 134 p.; 30 cm 1 resume

Số phân loại : 620.1

Chủ đề : 1. $2Bộ TK TVQGVật liệu học. 2. Phương pháp MBE. 3. Tích hợp màng InAs.

Thông tin chi tiết

Tóm tắt :

Luận án nghiên cứu công nghệ tích hợp màng InAs bằng phương pháp MBE trên để linh hoạt có hằng số điện môi thấp FET. Chế tạo Hall-bar để khảo sát tính chất điện của màng InAs trên đế này. Giải thích cơ chế biểu hiện của các tính chất điện như độ linh động và nòng độ của điện tử trong màng khi thay đổi độ dày. Nghiên cứu tán xạ điện tử và sự nhiễu loạn tần số thấp của điện tử cũng được khảo sát

 Thông tin dữ liệu nguồn

 Thư viện  Ký hiệu xếp giá  Dữ liệu nguồn
Thư viện Quốc gia Việt Nam LA13.1035.1, LA13.1035.2, LA13.1035.3
https://opac.nlv.gov.vn/pages/opac/wpid-detailbib-id-549090.html