loading

Croissance épitaxiale de germanium constraint en tension et fortement dopé de type en pour des applications en optoélectronique intégrée sur silicium: Thèse/ Luong Thi Kim Phuong

Tác giả : Luong Thi Kim Phuong

Năm xuất bản : 2014

Nơi xuất bản : Marseille

Mô tả vật lý : 115 p.: ill.; 30 cm 1 résumé

Số phân loại : 620.112972

Chủ đề : 1. $2Bộ TK TVQGQuang điện tử. 2. $2Bộ TK TVQGỨng dụng. 3. $2Bộ TK TVQGVật liệu nano. 4. 7. 5. 7.

Thông tin chi tiết

Tóm tắt :

Nghiên cứu sự tăng trưởng của Ge trên Si bằng phương pháp MBE. Ứng suất căng trong Ge được tạo ra nhờ sử dụng sự khác nhau về hệ số giãn nở nhiệt giữa Ge và Si. Trình bày sự pha tạp mạnh loại n sử dụng nguồn rắn GaP và đề xuất kỹ huật đồng pha tạp P và Sb. Triển khai chế tạo điốt phát quang Ge trên Si

 Thông tin dữ liệu nguồn

 Thư viện  Ký hiệu xếp giá  Dữ liệu nguồn
Thư viện Quốc gia Việt Nam LA14.0607.2, LA14.0607.3
https://opac.nlv.gov.vn/pages/opac/wpid-detailbib-id-573023.html