![](http://www.emiclib.com/Content/Images/Cover/BookCover25.jpg)
Croissance épitaxiale de germanium constraint en tension et fortement dopé de type en pour des applications en optoélectronique intégrée sur silicium: Thèse/ Luong Thi Kim Phuong
Tác giả : Luong Thi Kim Phuong
Năm xuất bản : 2014
Nơi xuất bản : Marseille
Mô tả vật lý : 115 p.: ill.; 30 cm 1 résumé
Số phân loại : 620.112972
Chủ đề : 1. $2Bộ TK TVQGQuang điện tử. 2. $2Bộ TK TVQGỨng dụng. 3. $2Bộ TK TVQGVật liệu nano. 4. 7. 5. 7.
Thông tin chi tiết
Tóm tắt : | Nghiên cứu sự tăng trưởng của Ge trên Si bằng phương pháp MBE. Ứng suất căng trong Ge được tạo ra nhờ sử dụng sự khác nhau về hệ số giãn nở nhiệt giữa Ge và Si. Trình bày sự pha tạp mạnh loại n sử dụng nguồn rắn GaP và đề xuất kỹ huật đồng pha tạp P và Sb. Triển khai chế tạo điốt phát quang Ge trên Si |
Thông tin dữ liệu nguồn
Thư viện | Ký hiệu xếp giá | Dữ liệu nguồn |
---|---|---|
![]() |
LA14.0607.2, LA14.0607.3 |
https://opac.nlv.gov.vn/pages/opac/wpid-detailbib-id-573023.html |