loading

AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterojunction field-effect transistors using BN and AlTiO high-k gate insulators: Doctor of material science and nano/ Nguyen Quy Tuan

Tác giả : Nguyen Quy Tuan

Năm xuất bản : 2014

Nơi xuất bản : Ishikawa

Mô tả vật lý : 81 p.: ill.; 30 cm 1 resume

Số phân loại : 621.31937

Chủ đề : 1. $2Bộ TK TVQGCách điện. 2. $2Bộ TK TVQGKhoa học vật liệu. 3. $2Bộ TK TVQGMàng mỏng. 4. $2Bộ TK TVQGVật liệu nano. 5. 7.

Thông tin chi tiết

Tóm tắt :

Khảo sát tính chất vật lý của màng mỏng BN vô định hình, thu được từ bốc bay Manhêtron tần số radio và tính chất vật lí của màng mỏng AlxTixO thu được bởi sự lắng đọng lớp nguyên tử cho một số hợp phần Al x/ (x + y)...

 Thông tin dữ liệu nguồn

 Thư viện  Ký hiệu xếp giá  Dữ liệu nguồn
Thư viện Quốc gia Việt Nam
https://opac.nlv.gov.vn/pages/opac/wpid-detailbib-id-586447.html