loading
  • Trang chủ
  • Sách, tuyển tập
  • Electron spin resonance study of near interfacial point defects in semiconductor (GaSi, Si) / insulator heterostructures: Doctor of Philosophy in Physics/ Nguyen Xuan Sang
Sách, tuyển tập

Electron spin resonance study of near interfacial point defects in semiconductor (GaSi, Si) / insulator heterostructures: Doctor of Philosophy in Physics/ Nguyen Xuan Sang

Tác giả : Nguyen Xuan Sang

Năm xuất bản : 2013

Nơi xuất bản : Leuven

Mô tả vật lý : xxvii, 158 p.: ill.; 24 cm 1 resume

Số phân loại : 620.112

Chủ đề : 1. $2Bộ TK TVQGVật liệu bán dẫn. 2. $2Bộ TK TVQGVật liệu cách điện. 3. 7. 4. 7. 5. Cộng hưởng từ điện tử. 6. Khuyết tật điểm.

Chia sẻ

Thông tin chi tiết

Tóm tắt :

Trình bày cơ sở lý thuyết về cộng hưởng từ điện tử và nghiên cứu về khuyết tật điểm ở vùng bề mặt của các loại vật liệu bán dẫn thông dụng như GaAs, Si cũng như các loại vật liệu bán dẫn kích cỡ nano như dây ZnS, ZnO
Chia sẻ


Hiển thị MARC

 Thông tin dữ liệu nguồn

 Thư viện  Ký hiệu xếp giá  Dữ liệu nguồn
Thư viện Quốc gia Việt Nam LA13.1770.2, LA13.1770.3
 https://opac.nlv.gov.vn/pages/opac/wpid-detailbib-id-626985.html