loading

Studies on multi-level per cell memories based on organic field-effect transistors: Doctor of Philosophy in Material Science/ Tran Manh Cuong

Tác giả : Tran Manh Cuong

Năm xuất bản : 2017

Nơi xuất bản : Ishikama

Mô tả vật lý : vii, 94 p.: fig., tab.; 30 cm 1 resume

Số phân loại : 621.381

Chủ đề : 1. $2Bộ TK TVQGBộ nhớ. 2. $2Bộ TK TVQGChế tạo. 3. $2Bộ TK TVQGĐiện tử học. 4. 7. 5. 7. 6. Bộ nhớ đa bit. 7. Transistor hữu cơ.

Thông tin chi tiết

Tóm tắt :

Nghiên cứu về bộ nhớ đa bit dựa trên transistor hữu cơ hiệu ứng trường. Nâng cao chất lượng của transistor hữu cơ bằng cách tăng áp suất trong lúc chế tạo điện cực trước khi đưa vào ứng dụng trong bộ nhớ. Chế tạo bộ nhớ đa bit ghi xoá nhiều lần sử dụng vật liệu lithium-ion-encapsulated fullerene làm vật liệu bẫy điện tử

 Thông tin dữ liệu nguồn

 Thư viện  Ký hiệu xếp giá  Dữ liệu nguồn
Thư viện Quốc gia Việt Nam LA17.1405.1, LA17.1405.2, LA17.1405.3
https://opac.nlv.gov.vn/pages/opac/wpid-detailbib-id-705150.html