
Studies on strain measurement of nanostructures by high - resolution TEM and dark - field electron holography techniques: Thesis/ Hoang Van Vuong
Tác giả : Hoang Van Vuong
Năm xuất bản : 2017
Nơi xuất bản : Daejeon
Mô tả vật lý : XX, 117 p.: ill.; 30 cm 1 resume
Số phân loại : 530.8
Chủ đề : 1. $2Bộ TK TVQGCấu trúc nano. 2. $2Bộ TK TVQGĐo lường. 3. $2Bộ TK TVQGHiển vi điện tử. 4. $2Bộ TK TVQGỨng suất.
Thông tin chi tiết
Tóm tắt : | Nghiên cứu thực hiện các phương pháp đo lường ứng suất bên trong cấu trúc nano của lớp SiGe/Si dưới 10nm, SiGe hình tam giác kích thước nano và giếng lượng tử InGaN/GaN nhiều lớp bằng kỹ thuật nhiễu xạ tia X, kỹ thuật vi điện tử truyền qua phân giải cao và toàn ảnh điện tử trường tối |
Thông tin dữ liệu nguồn
Thư viện | Ký hiệu xếp giá | Dữ liệu nguồn |
---|---|---|
![]() |
LA17.2432.1, LA17.2432.2, LA17.2432.3 |
https://opac.nlv.gov.vn/pages/opac/wpid-detailbib-id-744286.html |