loading
Luận án, luận văn

Simulation and design of infrared photodetector using type II InAs/GaSb superlattice: Thesis/ Le Thi Yen

Tác giả : Le Thi Yen

Năm xuất bản : 2019

Nơi xuất bản : Osaka

Mô tả vật lý : vi, 61 p.: fig.; 30 cm 1 resume

Số phân loại : 621.38152

Chủ đề : 1. $2Bộ TK TVQGMô phỏng. 2. $2Bộ TK TVQGThiết kế. 3. Bộ phát hiện hồng ngoại. 4. Vật liệu InAs/GaSb superlattice.

Chia sẻ

Thông tin chi tiết

Tóm tắt :

Nghiên cứu tính toán cấu trúc band dùng phương pháp k.p và bộ mô phỏng drift-diffusion được triển khai để đánh giá dòng tối; các thuộc tính của InAs/GaSb T2SL với các tỉ lệ thành phần InAs, GaSb khác nhau được tính toán dựa trên phương pháp k.p; hiệu suất của bộ phát hiện hồng ngoại dùng cấu trúc rào cản được đánh giá và phân tích qua mô phỏng; xây dựng được khung mô phỏng để đánh giá tính chất của bộ phát hiện hồng ngoại dùng vật liệu siêu mạng InAs/GaSb T2SL; các cơ chế vật lý liên quan đến dòng tối và hiệu quả lượng tử được làm sáng tỏ nhằm hỗ trợ cho việc thiết kế bộ phát hiện hồng ngoại hiệu suất cao
Chia sẻ


Hiển thị MARC

 Thông tin dữ liệu nguồn

 Thư viện  Ký hiệu xếp giá  Dữ liệu nguồn
Thư viện Quốc gia Việt Nam LA19.1712.1, LA19.1712.2, LA19.1712.3
 https://opac.nlv.gov.vn/pages/opac/wpid-detailbib-id-758836.html