loading
  • Trang chủ
  • Luận án, luận văn
  • Xác định các thuộc tính plasma ion hoá yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch: LATS Kỹ thuật: 9.52.02.03/ Phan Thị Tươi
Luận án, luận văn

Xác định các thuộc tính plasma ion hoá yếu trong va chạm electron của phân tử khí TRIES và khả năng ứng dụng trong công nghệ chế tạo vi mạch: LATS Kỹ thuật: 9.52.02.03/ Phan Thị Tươi

Tác giả : Phan Thị Tươi

Năm xuất bản : 2022

Nơi xuất bản : Hưng Yên

Mô tả vật lý : xiii, 106 tr.: minh hoạ; 30 cm 2 tt

Số phân loại : 537.532

Chủ đề : 1. $2Bộ TK TVQGChế tạo. 2. $2Bộ TK TVQGĐiện tử học. 3. $2Bộ TK TVQGPhóng điện. 4. $2Bộ TK TVQGỨng dụng. 5. $2Bộ TK TVQGVi mạch. 6. Phân tử khí TRIES. 7. Thuộc tính plasma. 8. Va chạm electron.

Chia sẻ

Thông tin chi tiết

Tóm tắt :

Xác định bộ tiết diện va chạm electron thích hợp của phân tử khí dạng hợp chất hữu cơ TRIES khi xảy ra phóng điện, định hướng ứng dụng tạo nguồn plasma trong công nghệ chế tạo vi mạch. Xác định các thuộc tính plasma ion hoá yếu trong va chạm electron của chất khí triethoxysilane (TRIES) và hỗn hợp của chất khí TRIES với các chất khí khác, gồm: Vận tốc va chạm của các electron, hệ số chuyển động ngang và dọc của các electron, hệ số ion hoá và hệ số kết hợp nhằm xem xét khả năng ứng dụng của phân tử khí TRIES cũng như hỗn hợp của chất khí TRIES với các chất khí khác trong công nghệ chế tạo vi mạch
Chia sẻ


Hiển thị MARC

 Thông tin dữ liệu nguồn

 Thư viện  Ký hiệu xếp giá  Dữ liệu nguồn
Thư viện Quốc gia Việt Nam LA22.0661.1, LA22.0661.2, LA22.0661.3, LA22.0661.4
 https://opac.nlv.gov.vn/pages/opac/wpid-detailbib-id-870383.html