
Ảnh hưởng của các dạng thế giam cầm của điện tử lên hiệu ứng Ettingshausen trong dây lượng tử: LATS Vật lí học: 9.44.01.30.01/ Trần Hải Hưng
Tác giả : Trần Hải Hưng
Năm xuất bản : 2022
Nơi xuất bản : H.
Mô tả vật lý : 100 tr.: minh hoạ; 30 cm 1 tt
Số phân loại : 539.7
Chủ đề : 1. $2Bộ TK TVQGĐiện tử. 2. $2Bộ TK TVQGVật lí. 3. 7. 4. Dây lượng tử.
Thông tin chi tiết
Tóm tắt : | Xây dựng phương trình động lượng tử cho hàm phân bố điện tử trong dây lượng tử có kể đến sự giam cầm của điện tử và của phonon. Thiết lập biểu thức giải tích cho hàm phân bố không cân bằng của điện tử, tính toán mật độ dòng, ten-xơ độ dẫn, hệ số động đặc trưng cho hiệu ứng Ettingshausen. So sánh với các kết quả trong trường hợp bán dẫn khối, trường hợp điện tử không giam cầm nhằm làm rõ ảnh hưởng của thế giam cầm lên hiệu ứng Ettingshausen trong hệ bán dẫn một chiều |
Thông tin dữ liệu nguồn
Thư viện | Ký hiệu xếp giá | Dữ liệu nguồn |
---|---|---|
![]() |
LA22.1388.1, LA22.1388.2, LA22.1388.3 |
https://opac.nlv.gov.vn/pages/opac/wpid-detailbib-id-886749.html |