
Nghiên cứu chế tạo điện cực trong suốt dây nano Ag và hạt nano Cu(In,Ga)S2 ứng dụng trong pin mặt trời Cu(In,Ga)Se2: LATS Khoa học Vật liệu: 9.44.01.22/ Trần Quốc Hoàn
Tác giả : Trần Quốc Hoàn
Năm xuất bản : 2023
Nơi xuất bản : H.
Mô tả vật lý : xiii, 103 tr.: minh hoạ; 30 cm 1 tt
Số phân loại : 621.31244
Chủ đề : 1. $2Bộ TK TVQGChế tạo. 2. $2Bộ TK TVQGĐiện cực. 3. $2Bộ TK TVQGHạt nano. 4. $2Bộ TK TVQGPin mặt trời.
Thông tin chi tiết
Tóm tắt : | Tổng quan về pin mặt trời; nghiên cứu chế tạo điện cực trong suốt sử dụng dây nano bạc (AgNW); chế tạo lớp hấp thụ ánh sáng làm từ màng Cu(In,Ga)S2 và hoàn thiện pin Cu(In,Ga)S2; nghiên cứu quy trình chế tạo tế bào quang điện Cu(In,Ga)S2 hoàn chỉnh |
Thông tin dữ liệu nguồn
Thư viện | Ký hiệu xếp giá | Dữ liệu nguồn |
---|---|---|
![]() |
LA23.0206.1, LA23.0206.2, LA23.0206.3 |
https://opac.nlv.gov.vn/pages/opac/wpid-detailbib-id-908041.html |