loading

Nghiên cứu mô phỏng và công nghệ chế tạo transistor có độ linh động điện tử cao dựa trên GaN : LATS Vật lý kỹ thuật: 9.52.04.01 / Nguyễn Trung Đô

Tác giả : Nguyễn Trung Đô

Năm xuất bản : 2024

Nơi xuất bản : H.

Mô tả vật lý : v, 144 tr. : minh hoạ ; 30 cm + 1 tt

Số phân loại : 621.384134

Chủ đề : 1. #7 .$2Bộ TK TVQGĐèn bán dẫn#7 .$2Bộ TK TVQGChế tạo#7 .$2Bộ TK TVQGLinh kiện vi điện tử.

Thông tin chi tiết

Tóm tắt :

Tổng quan về vật liệu bán dẫn GaN và linh kiện GaN HEMT; mô phỏng vật liệu GaN và linh kiện GaN HEMT; chế tạo thử nghiệm linh kiện HEMT với tiếp xúc Ohmic có điện trở thấp tại nhiệt độ ủ thấp hơn 700°C; nghiên cứu chế tạo cấu trúc MOS - HEMT sử dụng lớp điện môi high-k

 Thông tin dữ liệu nguồn

 Thư viện  Ký hiệu xếp giá  Dữ liệu nguồn
Thư viện Quốc gia Việt Nam LA24.1016.1##LA24.1016.2##LA24.10
https://opac.nlv.gov.vn/pages/opac/wpid-detailbib-id-958957.html