Thư viện tập trung - Thư viện điện tử

Sách, tuyển tập

Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn GaN/AlGaN : : Luận văn Thạc sĩ. Chuyên ngành: Vật lí lí thuyết và vật lí toán / Đặng Hồng Cám ; Nguyễn Thành Tiên (Người hướng dẫn khoa học)

Tác giả : Đặng Hồng Cám ; Nguyễn Thành Tiên (Người hướng dẫn khoa học)

Nhà xuất bản : Trường Đại học Cần Thơ

Năm xuất bản : 2012

Nơi xuất bản : Cần Thơ

Mô tả vật lý : xi, 69 tr. : minh họa ; 30 cm

Số phân loại : 537.6225

Chủ đề : 1. Giếng lượng tử. 2. Khí điện tử. 3. Electron gas. 4. Quantum wells. 5. Cấu trúc dị chất bán dẫn. 6. Khí điện tử.

Chia sẻ

Thông tin chi tiết

Tóm tắt :

Luận văn trình bày sơ lược về linh kiện giếng lượng tử. Trình bày về cấu trúc dị chất, nói về phương pháp nuôi cấu trúc dị chất cụ thể là phương pháp epitaxy chùm phân tử (MBE) và phân loại các cấu trúc dị chất. Trình bày một số đặc tính cơ bản của hệ vật liệu GaN / AlxGa1-xN. Mô tả đặc trưng về cấu trúc mạng cũng như cấu trúc vùng năng lượng của cấu trúc dị chất này. Tính giải tích các biểu thức toán học cho thế giam giữ V(z) cho trường hợp tạp nền và tạp điều biến trong cấu trúc dị chất đơn GaN / AlxGa1-xN. Tính số và thảo luận về phân bố khí điện tử giả hai chiều hình thành trong cấu trúc dị chất đơn GaN / AlxGa1-xN cho trường hợp tạp nền và tạp điều biến với các chương trình máy tính.

Chia sẻ

Hiển thị MARC

Thông tin dữ liệu nguồn

Thư viện	Ký hiệu xếp giá	Dữ liệu nguồn
Thư viện đại học Cần Thơ		https://lrcopac.ctu.edu.vn/pages/opac/wpid-detailbib-id-174671.html

Ldr		00025nam a2200024 a 4500
001		CLN251930874
082	00	$221 st ed.$a537.6225$bC104
088	##	$a60440103
100	1#	$aĐặng, Hồng Cám
245	10	$aPhân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn GaN/AlGaN : :$bLuận văn Thạc sĩ. Chuyên ngành: Vật lí lí thuyết và vật lí toán /$cĐặng Hồng Cám ; Nguyễn Thành Tiên (Người hướng dẫn khoa học)
260	##	$aCần Thơ :$bTrường Đại học Cần Thơ ,$c2012
300	##	$axi, 69 tr. :$bminh họa ;$c30 cm
502	##	$aLuận văn Thạc sĩ chuyên ngành: Vật lí lí thuyết và vật lí toán
504	##	$aTài liệu tham khảo tr. 60-63
520	##	$aLuận văn trình bày sơ lược về linh kiện giếng lượng tử. Trình bày về cấu trúc dị chất, nói về phương pháp nuôi cấu trúc dị chất cụ thể là phương pháp epitaxy chùm phân tử (MBE) và phân loại các cấu trúc dị chất. Trình bày một số đặc tính cơ bản của hệ vật liệu GaN / AlxGa1-xN. Mô tả đặc trưng về cấu trúc mạng cũng như cấu trúc vùng năng lượng của cấu trúc dị chất này. Tính giải tích các biểu thức toán học cho thế giam giữ V(z) cho trường hợp tạp nền và tạp điều biến trong cấu trúc dị chất đơn GaN / AlxGa1-xN. Tính số và thảo luận về phân bố khí điện tử giả hai chiều hình thành trong cấu trúc dị chất đơn GaN / AlxGa1-xN cho trường hợp tạp nền và tạp điều biến với các chương trình máy tính.
650	#0	$aElectron gas
650	#7	$2Trung tâm Học liệu ĐHCT$aGiếng lượng tử
650	#7	$2Trung tâm Học liệu ĐHCT$aKhí điện tử
650	#0	$aQuantum wells
653	##	$aKhí điện tử
653	##	$aCấu trúc dị chất bán dẫn
700	1#	$aNguyễn, Thành Tiên$eNgưởi hướng dẫn khoa học
710	1#	$aBộ Giáo dục và Đào tạo$bTrường Đại học Cần Thơ
856	04	$fXem toàn văn$uhttp://digital.lrc.ctu.edu.vn/digital/?s=4&&bib_id=174671
900		1
925		G
926		0
927		SH

Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn GaN/AlGaN : : Luận văn Thạc sĩ. Chuyên ngành: Vật lí lí thuyết và vật lí toán / Đặng Hồng Cám ; Nguyễn Thành Tiên (Người hướng dẫn khoa học)

Thông tin dữ liệu nguồn

Tài liệu cùng tác giả

Tài liệu cùng danh mục chủ đề

Lời ngỏ

Mục đích và phương châm hoạt động

Bản quyền