
Ảnh hưởng của các nguồn tán xạ vào bề rộng vạch phổ hấp thụ giữa các vùng con trong giếng lượng tử GaAs ở nhiệt độ thấp : : Luận văn thạc sĩ Vật lý. Chuyên ngành: Vật lý lý thuyết và vật lý toán / Đặng Minh Thứ ; Nguyễn Thành Tiên (người hướng dẫn)
Tác giả : Đặng Minh Thứ ; Nguyễn Thành Tiên (người hướng dẫn)
Nhà xuất bản : Đại học Cần Thơ
Năm xuất bản : 2013
Nơi xuất bản : Cần Thơ
Mô tả vật lý : 69 tr. : minh họa ; 28 cm
Số phân loại : 539.75
Chủ đề : 1. Vật lý lượng tử. 2. Nuclear physics. 3. Vật lý lượng tử.
Thông tin chi tiết
Tóm tắt : | Luận văn đã trình bày đầy đủ và cụ thể các thế giam giữ 2DEG tồn tại trong cấu trúc dị chất dựa trên vật liệu AlGaAs/GaAS/AlGaAs và cơ chế tán xạ nhám bề mặt |
Thông tin dữ liệu nguồn
Thư viện | Ký hiệu xếp giá | Dữ liệu nguồn |
---|---|---|
![]() |
|
https://lrcopac.ctu.edu.vn/pages/opac/wpid-detailbib-id-181941.html |