loading

Khảo sát cơ chế hấp thụ bề mặt TiO2 bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh : : Luận văn thạc sĩ vật lý. Chuyên ngành Vật lý lý thuyết và Vật lý toán / Viên Tuấn Anh ; Huỳnh Anh Huy (Cán bộ hướng dẫn)

Tác giả : Viên Tuấn Anh ; Huỳnh Anh Huy (Cán bộ hướng dẫn)

Nhà xuất bản : Trường Đại học Cần Thơ

Năm xuất bản : 2015

Nơi xuất bản : Cần Thơ

Mô tả vật lý : x, 82 tr. : minh họa ; 30 cm

Số phân loại : 621.38152

Chủ đề : 1. Chất bán dẫn. 2. Semiconductors. 3. Vật lý lý thuyết.

Thông tin chi tiết

Tóm tắt :

Đề tài sử dụng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh để mô tả cấu trúc tinh thể bề mặt cũng như tính chất điện tử của vật liệu.

 Thông tin dữ liệu nguồn

 Thư viện  Ký hiệu xếp giá  Dữ liệu nguồn
Thư viện đại học Cần Thơ
https://lrcopac.ctu.edu.vn/pages/opac/wpid-detailbib-id-201791.html