
Khảo sát cơ chế hấp thụ bề mặt TiO2 bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh : : Luận văn thạc sĩ vật lý. Chuyên ngành Vật lý lý thuyết và Vật lý toán / Viên Tuấn Anh ; Huỳnh Anh Huy (Cán bộ hướng dẫn)
Tác giả : Viên Tuấn Anh ; Huỳnh Anh Huy (Cán bộ hướng dẫn)
Nhà xuất bản : Trường Đại học Cần Thơ
Năm xuất bản : 2015
Nơi xuất bản : Cần Thơ
Mô tả vật lý : x, 82 tr. : minh họa ; 30 cm
Số phân loại : 621.38152
Chủ đề : 1. Chất bán dẫn. 2. Semiconductors. 3. Vật lý lý thuyết.
Thông tin chi tiết
Tóm tắt : | Đề tài sử dụng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh để mô tả cấu trúc tinh thể bề mặt cũng như tính chất điện tử của vật liệu. |
Thông tin dữ liệu nguồn
Thư viện | Ký hiệu xếp giá | Dữ liệu nguồn |
---|---|---|
![]() |
|
https://lrcopac.ctu.edu.vn/pages/opac/wpid-detailbib-id-201791.html |