loading

Nghiên cứu khuếch tán đồng thời tạp chất và sai hỏng điểm trong Silic : Luận án TS. Vật lý: 62 44 07 01 / Vũ, Bá Dũng; Nguyễn, Ngọc Long,Đào, Khắc An

Tác giả : Vũ, Bá Dũng; Nguyễn, Ngọc Long,Đào, Khắc An

Nhà xuất bản : Trường Đại học Khoa học Tự nhiên

Năm xuất bản : 2011

Mô tả vật lý : 160 tr. + CD-ROM

Chủ đề : 1. Khuếch tán. 2. Phương trình khuếch tán. 3. Vật liệu bán dẫn. 4. Vật lý chất rắn. 5. Thesis.

Thông tin chi tiết

Tóm tắt :

Luận án TS. Vật lý chất rắn -- Trường Đại học Khoa học Tự nhiên. Đại học Quốc gia Hà Nội, 2011Nghiên cứu tổng quan về vật liệu Si và khuếch tán trong vật liệu Si. Nghiên cứu mở rộng định luật lực tổng quát, định luật Onsager và định luật Fick, tìm ra sự tương thích và đồng nhất giữa định luật Onsager và định luật Fick làm cơ sở để áp dụng cho bài toán khuếch tán đồng thời B và sai hỏng điểm trong Si. Phát triển, hoàn thiện bài toán và hệ phương trình khuếch tán đồng thời B và sai hỏng điểm trong Si. Phát triển lý thuyết giải số hệ phương trình khuếch tán đồng thời B, I và V trong Si để tìm ra được phân bố cuả B và sai hỏng điểm trong Si. Thảo luận kết quả, áp dụng để lý giải các kết quả thực nghiệm và các hiện tượng khuếch tán dị thường. Mô phỏng quá trình khuếch tán động của B và sai hỏng điểm trong Si.Electronic Resources

 Thông tin dữ liệu nguồn

 Thư viện  Ký hiệu xếp giá  Dữ liệu nguồn
Đại học khoa học tự nhiên - ĐHQGHN
https://repository.vnu.edu.vn/handle/VNU_123/36916