
Etude de la variation des paramètres des transistors à jonction au silicium en fonction de la température. Thèse présentée à la faculté des sciences de l'université de Saigon pour obtenir le titre de docteur en physique électronique. 3è cycle d'enseignement supérieur / Bùi Văn Quán
Tác giả : Bùi Văn Quán
Nhà xuất bản : S.n.]
Năm xuất bản : 1970
Nơi xuất bản : [Saigon
Mô tả vật lý : 55tờ., biểu đồ,sơ đồ ; 27cm
Thông tin dữ liệu nguồn
Thư viện | Ký hiệu xếp giá | Dữ liệu nguồn |
---|---|---|
![]() |
LV 3621 |
https://phucvu.thuvientphcm.gov.vn//Item/ItemDetail/293333?siteid=2 |