loading

Etude de la variation des paramètres des transistors à jonction au silicium en fonction de la température. Thèse présentée à la faculté des sciences de l'université de Saigon pour obtenir le titre de docteur en physique électronique. 3è cycle d'enseignement supérieur / Bùi Văn Quán

Tác giả : Bùi Văn Quán

Nhà xuất bản : S.n.]

Năm xuất bản : 1970

Nơi xuất bản : [Saigon

Mô tả vật lý : 55tờ., biểu đồ,sơ đồ ; 27cm

 Thông tin dữ liệu nguồn

 Thư viện  Ký hiệu xếp giá  Dữ liệu nguồn
Thư viện Khoa học Tổng hợp TP.HCM LV 3621
https://phucvu.thuvientphcm.gov.vn//Item/ItemDetail/293333?siteid=2