Réalisation et caractérisation de hemts AIGaN/GaN sur silicium pour applications à haute tension / Nguyen Thi Dak Ha
Tác giả : Nguyen Thi Dak Ha
Nhà xuất bản : Université Paris-Sud
Năm xuất bản : 2013
Nơi xuất bản : Orsay, France
Mô tả vật lý : [6], 186 tờ : minh họa (1 phần màu) ; 30 cm
Số phân loại : 660.2977
Chủ đề : 1. Aluminium gallium nitride. 2. High pressure (Technology). 3. Luận án -- Pháp. 4. Organosilicon compounds. 5. Semiconductors.
Thông tin dữ liệu nguồn
Thư viện | Ký hiệu xếp giá | Dữ liệu nguồn |
---|---|---|
Thư viện Khoa học Tổng hợp TP.HCM |
LA 21589 |
https://phucvu.thuvientphcm.gov.vn//Item/ItemDetail/495572?siteid=2 |