loading

Réalisation et caractérisation de hemts AIGaN/GaN sur silicium pour applications à haute tension / Nguyen Thi Dak Ha

Tác giả : Nguyen Thi Dak Ha

Nhà xuất bản : Université Paris-Sud

Năm xuất bản : 2013

Nơi xuất bản : Orsay, France

Mô tả vật lý : [6], 186 tờ : minh họa (1 phần màu) ; 30 cm

Số phân loại : 660.2977

Chủ đề : 1. Aluminium gallium nitride. 2. High pressure (Technology). 3. Luận án -- Pháp. 4. Organosilicon compounds. 5. Semiconductors.

 Thông tin dữ liệu nguồn

 Thư viện  Ký hiệu xếp giá  Dữ liệu nguồn
Thư viện Khoa học Tổng hợp TP.HCM LA 21589
https://phucvu.thuvientphcm.gov.vn//Item/ItemDetail/495572?siteid=2