
Untersuchungen tiefer Störstellen in AlxGa1-x As und GaxIn1-xP mittels DLTS: Thesis/ Vo Thi Thanh Ha
Tác giả : Vo Thi Thanh Ha
Năm xuất bản : 1994
Nơi xuất bản : Leipzig
Mô tả vật lý : 123p.; 32cm 1 resume
Số phân loại : 531
Chủ đề : 1. $2Bộ TK TVQGChất bán dẫn. 2. $2Bộ TK TVQGVật lí chất rắn. 3. 7. 4. Điện dung. 5. Phương pháp DLTS.
Thông tin chi tiết
Tóm tắt : | Phân tích sự thay đổi phụ thuộc nhiệt độ của điện dung mẫu Alx Ga1-x As. Phát triển phương pháp phân tích phổ DLTS với trường hợp tâm sâu DX trong AlxGa1-x As |
Thông tin dữ liệu nguồn
Thư viện | Ký hiệu xếp giá | Dữ liệu nguồn |
---|---|---|
![]() |
L4834 |
https://opac.nlv.gov.vn/pages/opac/wpid-detailbib-id-234539.html |