Untersuchungen tiefer Störstellen in AlxGa1-x As und GaxIn1-xP mittels DLTS: Thesis/ Vo Thi Thanh Ha

Tác giả : Vo Thi Thanh Ha

Năm xuất bản : 1994

Nơi xuất bản : Leipzig

Mô tả vật lý : 123p.; 32cm 1 resume

Số phân loại : 531

Chủ đề : 1. $2Bộ TK TVQGChất bán dẫn. 2. $2Bộ TK TVQGVật lí chất rắn. 3. 7. 4. Điện dung. 5. Phương pháp DLTS.

Thông tin chi tiết

Tóm tắt :

Phân tích sự thay đổi phụ thuộc nhiệt độ của điện dung mẫu Alx Ga1-x As. Phát triển phương pháp phân tích phổ DLTS với trường hợp tâm sâu DX trong AlxGa1-x As

 Thông tin dữ liệu nguồn

 Thư viện  Ký hiệu xếp giá  Dữ liệu nguồn
Thư viện Quốc gia Việt Nam L4834
https://opac.nlv.gov.vn/pages/opac/wpid-detailbib-id-234539.html