loading

Nghiên cứu ảnh hưởng của lớp chức năng nano ZnO đến hoạt động của pin mặt trời màng mỏng glass/TCO/nano ZnO/CdS/CuInS2/Me lắng đọng bằng phương pháp USPD-ILGAR: LATS Vật lý kỹ thuật: 62.52.04.01/ Lưu Thị Lan Anh

Tác giả : Lưu Thị Lan Anh

Năm xuất bản : 2014

Nơi xuất bản : H.

Mô tả vật lý : 129tr.: minh hoạ; 30cm 1 tt

Số phân loại : 621.312429

Chủ đề : 1. 17. 2. 2. 3. $2Bộ TK TVQGẢnh hưởng. 4. $2Bộ TK TVQGHoạt động. 5. $2Bộ TK TVQGPin mặt trời. 6. 7. 7. 7. 8. Nano ZnO.

Thông tin chi tiết

Tóm tắt :

Nghiên cứu công nghệ lắng đọng các lớp chức năng trong cấu trúc pin mặt trời màng mỏng; khảo sát các phân biên ZnO/CdS và CdS và CdS/CuInS2 bằng phương pháp phổ trở kháng phức CIS; thiết kế và chế tạo thử nghiệm pin mặt trời màng mỏng cấu trúc kiểu Glass/ITO/nanoZnO/CuInS2/Me bằng phương pháp USPD-ILGAR

 Thông tin dữ liệu nguồn

 Thư viện  Ký hiệu xếp giá  Dữ liệu nguồn
Thư viện Quốc gia Việt Nam
https://opac.nlv.gov.vn/pages/opac/wpid-detailbib-id-584522.html