![](http://www.emiclib.com/Content/Images/Cover/BookCover12.jpg)
Nghiên cứu ảnh hưởng của lớp chức năng nano ZnO đến hoạt động của pin mặt trời màng mỏng glass/TCO/nano ZnO/CdS/CuInS2/Me lắng đọng bằng phương pháp USPD-ILGAR: LATS Vật lý kỹ thuật: 62.52.04.01/ Lưu Thị Lan Anh
Tác giả : Lưu Thị Lan Anh
Năm xuất bản : 2014
Nơi xuất bản : H.
Mô tả vật lý : 129tr.: minh hoạ; 30cm 1 tt
Số phân loại : 621.312429
Chủ đề : 1. 17. 2. 2. 3. $2Bộ TK TVQGẢnh hưởng. 4. $2Bộ TK TVQGHoạt động. 5. $2Bộ TK TVQGPin mặt trời. 6. 7. 7. 7. 8. Nano ZnO.
Thông tin chi tiết
Tóm tắt : | Nghiên cứu công nghệ lắng đọng các lớp chức năng trong cấu trúc pin mặt trời màng mỏng; khảo sát các phân biên ZnO/CdS và CdS và CdS/CuInS2 bằng phương pháp phổ trở kháng phức CIS; thiết kế và chế tạo thử nghiệm pin mặt trời màng mỏng cấu trúc kiểu Glass/ITO/nanoZnO/CuInS2/Me bằng phương pháp USPD-ILGAR |
Thông tin dữ liệu nguồn
Thư viện | Ký hiệu xếp giá | Dữ liệu nguồn |
---|---|---|
![]() |
|
https://opac.nlv.gov.vn/pages/opac/wpid-detailbib-id-584522.html |